💥“삼성전자, D램 설계 난제 돌파!”…다시 시작된 메모리 왕좌 전쟁

삼성전자가 그동안 고전하던 D램 설계의 난제를 드디어 풀었다.
D램 수율·성능 동시 개선이라는 어려운 퍼즐을 맞추면서
메모리 시장의 주도권 탈환에 한 발 더 다가섰다는 분석이 나온다.

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🔧 도대체 무슨 문제를 풀었길래?

D램의 핵심 중 하나인 ‘중앙 배선층’(Central Interconnect Layer) 설계에서
삼성은 줄곧 발열, 면적, 신호 전달 문제로 고전 중이었어.

하지만 이번에:

• ✅ 면적은 더 작고
• ✅ 전력 소모는 줄고
• ✅ 신호는 더 빠르게
• ✅ 수율은 60% 이상으로 상승

즉, 공정은 미세화되는데 오히려 효율은 더 좋아진 구조로
경쟁사보다 한 발 앞선 기술적 돌파를 이뤄낸 거지.

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🧠 어떻게 해결했을까?

삼성은 작년 하반기부터

• 외부 D램 설계 전문가들 대거 영입
• 내부 설계 구조 전면 재검토
• 수개월 간 설계 시뮬레이션 반복

결국 ‘배선 밀도’와 ‘발열 제어’라는 양립하기 어려운 조건을
기술적으로 모두 충족하는 설계안을 만들어낸 거야.

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🧪 어디에 쓰이냐고?

삼성은 이 구조를

• 📦 6세대 D램(1c D램) → 올해 양산 예정
• 🚀 HBM4 → AI용 고대역폭 메모리에도 적용 예정

특히 HBM4는 AI 반도체 시장의 총알 같은 존재라서
엔비디아, AMD, 테슬라 등이 눈독 들이고 있는 분야지.

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📈 “수율 60% 넘겼다”의 의미

반도체 업계에서 수율 60% 돌파는
생산성과 수익성 면에서 ‘수익 분기점’을 넘겼다는 신호야.

즉, 이제 본격적으로:

• 생산 단가 ↓
• 고객 납품 물량 ↑
• 이익률 상승

➡ 가격 경쟁력까지 확보 가능!

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⚔️ 그럼 경쟁사는?

• SK하이닉스는 HBM3E에서 앞서가고 있지만,
  삼성의 HBM4 진입이 빨라지면 상황이 역전될 수도 있음.
• 마이크론은 D램 미세공정 전환에 어려움 겪는 중.

➡ 결국 삼성의 턴어라운드 모멘텀이 시작됐다는 해석 가능.

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🧨 정리하자면?

“D램 설계 난제 돌파는 단순한 기술 개선이 아니다.
삼성전자가 다시 메모리 왕좌를 노린다는 선전포고다.”